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- [電子器件百科]超級電容的優(yōu)劣對比2020年07月09日 08:42
- 普通電容器不能焊 接,在安裝時可根據(jù)需要焊 接,以防止蓄電池接觸不 良等現(xiàn)象的發(fā)生,提高元件的性能。它是一種綠色能源,比其他常規(guī)電容器對環(huán)境的污染小。超 級電容器的安裝位置不合理,容易造成電解質(zhì)泄漏等,破壞結(jié)構(gòu)和性能。
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- [電子器件百科]超級電容在性能上的優(yōu)勢2020年07月09日 08:39
- 超 級電容原料的組成、生產(chǎn)、使用、儲存、拆除不受污染,是一種理想的綠色環(huán)保電源。充放電電路簡單,無需充電電池等充電電路,安 全系數(shù)高,長期使用免維護(hù)。超低溫特性良好,溫度范圍寬-40℃~+70℃。檢測方便,剩余電量可直接讀出。容量范圍通常為0.1F-1000 F。許多設(shè)備由于盲目使用超 級電容器而導(dǎo)致電路故障,影響整個設(shè)備的性能。超 級電容器對電路結(jié)構(gòu)要求較低,不需要設(shè)置特殊的充電電路和控制放電電路,使用時間不受過充、過放電的影響。
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- [電子器件百科]簡述電解電容的原理與特點(diǎn)2020年07月09日 08:36
- 電解電容是一種以金屬箔為正極,緊貼正極的金屬氧化膜為電介質(zhì),以導(dǎo)電材料、電解質(zhì)為陰極和其他材料共同組成的電容器,因其電解質(zhì)是陰極的主要部分而得名電解電容。有極性的電解電容器一般在電源電路或中頻、低頻電路中使用,起到退耦、信號耦合、時間。在直流電源電路中,當(dāng)它作為濾波電容來使用時,其陽極需和電源電壓的正極端連接,陰極好電源電壓的負(fù)極端連接,反接會導(dǎo)致電容器的損壞。
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- [電子器件百科]X電容和Y電容的差異2020年07月09日 08:30
- X電容是安 全電容中的一種,有著必 須取得安 全檢測機(jī)構(gòu)認(rèn)證的要求,一般X電容上都標(biāo)有安 全認(rèn)證標(biāo)志以及耐壓AC250V/AC275V的字樣,然而實(shí)際可承受的直流耐壓值可以高達(dá)2000V以上,因此使用標(biāo)稱耐壓AC250V/DC 400V等的普通電容來替代X電容的使用是不可取的。通常,我們會選用聚脂薄膜類這樣紋波電流較大的電容來充當(dāng)X電容,它的體積比較大,內(nèi)阻較小,因而允許的瞬間充放電電流也會比較大。
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標(biāo)簽:電容|電容知識|電容特性|安規(guī)電容
- [電子器件百科]安全保護(hù)電容——安規(guī)電容2020年07月09日 08:28
- 和普通電容不同,安規(guī)電容在外部電源斷開后電荷不會長時間保留,避免了手觸碰到就會觸電的情況,一般在交流電源的輸入端處,我們需要設(shè)計3個安 全電容,以抑依照實(shí)際情況的需要,X電容容值可以比Y電容容值大一些,但此時需要在X電容兩端并聯(lián)一個安 全電阻,來防止電源線在拔插時其充放電的過程導(dǎo)致的電源線插頭長時間地帶電。
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- [電子器件百科]充放電能力強(qiáng)的超級電容2020年07月09日 08:25
- 電容器是一種常見的存儲電荷的電子設(shè)備,在許多電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。由于新時期工業(yè)技術(shù)的迅速發(fā)展,早期的電路結(jié)構(gòu)已逐漸被更復(fù)雜的電路形式所取代,普通電容器已不能滿足電路運(yùn)行的需要,為了滿足高負(fù)荷或過載電路運(yùn)行的需要,超 級電容器在我國得到了推廣,其性能優(yōu)于傳統(tǒng)電容器。功率密度高,可達(dá)300 W≤KG≤5000 W/kg,相當(dāng)于電池的5×10倍。
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- [電子器件百科]關(guān)于陶瓷電容失效的內(nèi)因外因分析2020年07月08日 09:27
- 燒結(jié)裂紋燒結(jié)裂紋通常起源于一端電極并垂直擴(kuò)展。主要原因與燒結(jié)過程中的冷 卻速率有關(guān),裂紋和危害與空洞相似。機(jī)械應(yīng)力裂紋多層陶瓷電容器具有承受較大壓應(yīng)力的特點(diǎn),但其抗彎曲性能較差。在設(shè)備裝配過程中,任何可能產(chǎn)生彎曲變形的操作都可能導(dǎo)致設(shè)備開裂。這種裂紋一般起源于器件的上、下金屬化端,在45℃時擴(kuò)展到器件的內(nèi)部。這種缺 陷也是常見的缺 陷。
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- [電子器件百科]陶瓷電容的性質(zhì)與失效2020年07月08日 09:24
- 形成的間隙型裂紋1.接觸電阻-積分接觸是電容阻抗(Z=1/(2*pi*f*C),這導(dǎo)致Res在開始時隨著頻率的增加而減少。貼片陶瓷電容的ESL類似于貼片固體鉭電容的ESL,也是一種ESL相對較小的SMD器件,但由于其內(nèi)部的引線結(jié)構(gòu),陶瓷芯片的ESL比鉭電容的ESL要小得多,可以使用近似公式。雖然ESL與容量有關(guān),但這一變化相對較小,基本上沒有變化。
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- [電子器件百科]陶瓷電容型號間的差異2020年07月08日 09:21
- 由于電容器工作在高頻時的介電常數(shù)小于低頻時的介電常數(shù),因此電容器的電容量相應(yīng)減小。不同型號的電容,高使用頻率是不一樣的。小云母電容在250MHz以內(nèi); 晶圓陶瓷介質(zhì)電容為300MHz; 管式陶瓷介質(zhì)電容器為200MHz; 圓盤陶瓷介質(zhì)為3000MHz; 小紙介電容器80MHz; 介質(zhì)紙介質(zhì)電容僅為8MHz。RES對頻率敏 感,并隨頻率的增加而增 大。
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- [電子器件百科]多層陶瓷電容的性能參數(shù)2020年07月08日 09:19
- 實(shí)際電容與標(biāo)稱電容之間的允許偏差范圍為:J±0.05,K±0.1,M±0.2,密電容器的允許誤差小,電解電容器的允許誤差大,誤差等級不同,常用電容器的精度等級與電阻器相同,字母D-±0.005 F-±0.01 G-0.02 J-±0.05 K-0.1 M-0.2。這些損耗主要來自介電損耗和金屬損耗。通常用損失角正切值表示。磨損的標(biāo)準(zhǔn)配方是使用百分比,如COG要求。
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- [電子器件百科]固態(tài)電容有哪些優(yōu)勢特性2020年07月08日 09:16
- 在高溫的環(huán)境條件下,固體鋁電解電容能持續(xù)穩(wěn)定地工作,這直接地提升了主板的性能,另外,在電源濾波中其較寬溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定阻抗也很適用,在超頻中可以有固態(tài)電容在高溫環(huán)境中保持著其各種電氣性能,在全溫度范圍它的容量變化不會超過0.15,且與其所處的工作電壓基本無關(guān),在穩(wěn)定上較液態(tài)電解電容來說。明顯更加優(yōu)異,即使在電壓波動的環(huán)境中也能穩(wěn)定地工作。
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標(biāo)簽:電容|電容知識|電容特性|電容類型|固態(tài)鋁電解
- [電子器件百科]固態(tài)電容的材料與發(fā)展2020年07月07日 09:38
- 20世紀(jì)90年代以來,以固態(tài)的導(dǎo)電高分子材料取代鋁電解中原本的電解液來作為陰極,鑒于原先液態(tài)電解電容產(chǎn)生的許多問題,固態(tài)鋁電解電容在技術(shù)上取得了革新性的發(fā)展,應(yīng)運(yùn)而生。有 機(jī)半導(dǎo)體鋁電解液態(tài)鋁電解電容在結(jié)構(gòu)上比較相似,以直插立式的方式來封裝,其陰極材料是采用了固態(tài)有 機(jī)半導(dǎo)體浸膏。
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標(biāo)簽:電容|電容知識|電容特性|電容類型|固態(tài)鋁電解
- [電子器件百科]COG陶瓷與NPO陶瓷電容的特點(diǎn)2020年07月06日 09:57
- C0G是I類陶瓷中溫度穩(wěn)定性好的陶瓷,其溫度特性約為0,滿足"負(fù)-正-零"的含義,因此C0G實(shí)際上與NPO相同,但兩個標(biāo)準(zhǔn)表示也是NPO電容器。同樣,U2J也對應(yīng)MIL標(biāo)準(zhǔn)中的群碼N 750。NPO電容器的電容和介電損耗隨封裝形式的變化而變化,大封裝尺寸的頻率特性優(yōu)于小封裝尺寸。7意味著電容可以在+125℃工作。電容器有多種,可分為非極性可變、非極性固定、極性等。
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標(biāo)簽:陶瓷電容|電容知識|電容|電容材料|介電材料
- [電子器件百科]II類陶瓷電容的參數(shù)特點(diǎn)2020年07月06日 09:55
- 美國電工協(xié)會標(biāo)準(zhǔn)Z5U和Y5V以及我國CT系列低檔產(chǎn)品模型等II級陶瓷介電材料。這種介質(zhì)的介電系數(shù)隨溫度變化很大,不適用于溫度系數(shù)較高的場合,如定時和振蕩等。通常,1206表面貼裝Z5U和Y5V介電電容器甚至可以達(dá)到100μF,這在某種意義上是取代鉭電解電容器的有力競爭者。結(jié)果表明,NPO的電容溫度特性很好,電容漂移不會隨著正、負(fù)溫度的變化而發(fā)生。
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標(biāo)簽:陶瓷電容|電容知識|電容|電容材料|介電材料
- [電子器件百科]兩類陶瓷電容器的區(qū)別有多大2020年07月06日 09:42
- 根據(jù)美國電工協(xié)會標(biāo)準(zhǔn)C0G或NP0和我們的標(biāo)準(zhǔn)CC系列陶瓷介質(zhì),這種介質(zhì)穩(wěn)定,溫度系數(shù)很低,不會出現(xiàn)老化現(xiàn)象。"損耗因子不受電壓,頻率,溫度和時間的影響。介電系數(shù)可達(dá)400,介電強(qiáng)度較高。這種介質(zhì)非常適用于高頻。),超 高頻以及對電容和穩(wěn)定性有嚴(yán)格要求的定時和振蕩電路的工作環(huán)境,這類介質(zhì)電容唯 一的缺點(diǎn)是電容不能做得很大。適用于工作環(huán)境中高溫要求的耦合、旁路和過濾。通常,1206 S MD封裝的電容可達(dá)10μF或更高。
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標(biāo)簽:陶瓷電容|電容知識|電容|電容分類
- [電子器件百科]瓷片電容的特點(diǎn)及不同分類2020年07月06日 09:36
- 由于原料豐富,結(jié)構(gòu)簡單,價 格低廉,范圍寬,損耗小,電容溫度系數(shù)可根據(jù)要求在大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。II類陶瓷電容器過去被稱為低頻陶瓷電容器,它是指以鐵電陶瓷為介質(zhì)的,也稱為鐵電陶瓷電容器。這種比容量大,隨溫度變化非線性,損耗大,常用于旁路、耦合等電路中,對損耗和穩(wěn)定性要求較低。
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標(biāo)簽:瓷片電容|電容知識|電容|電容分類
- [電子器件百科]瓷片電容的來源2020年07月03日 09:34
- 1900年,意大利L.隆巴迪發(fā)明了陶瓷介電電容器。上世紀(jì)30年代末,人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中加入鈦酸鹽可以使介電常數(shù)增加一倍,因此可以制造出更便宜的陶瓷介電電容器。陶瓷介電電容器主要使用陶瓷作為絕緣體,其基本結(jié)構(gòu)是將陶瓷與內(nèi)部電極重疊。由于電子產(chǎn)品特別是無鉛、高介電系數(shù)的鉛(鉛)已從陶瓷電容器領(lǐng)域中撤出。與其他電容器相比,它們具有體積小、容量大、耐熱性好、適合批量生產(chǎn)、價 格低廉等優(yōu)點(diǎn)。
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標(biāo)簽:瓷片電容|電容知識|電容|電容歷史
- [電子器件百科]瓷片電容的制造工藝2020年07月03日 09:28
- 陶瓷片電容的結(jié)構(gòu),陶瓷介質(zhì)一般為BaTiO 3,內(nèi)電極導(dǎo)體一般為Ag或AgPd,多層陶瓷結(jié)構(gòu)采用高溫?zé)Y(jié)。器件端面涂層(外電極)通常是燒結(jié)Ag/AgPd,然后制備Ni阻隔層,然后在Ni層上制備Sn或SnPb層供焊 接。近年來,也有采用Cu的MLCC產(chǎn)品。燒成溫度一般在1300℃以上。高溫保溫時間過短,固相反應(yīng)不完全徹 底,影響了整個鑄 坯的組織,導(dǎo)致電性能的劣化,稱為生燒。
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標(biāo)簽:瓷片電容|電容知識|電容|制造工藝
- [電子器件百科]Y5V電容有什么的特性2020年07月03日 09:25
- Y5V電容器是一種具有一定溫度限 制的通用電容器。Y5V的大介損為0.05。Y5V材料的電容溫度穩(wěn)定性不好,溫度的變化會導(dǎo)致電容的大幅度變化。在-30℃到85℃的范圍內(nèi),Y5V的容量可以達(dá)到+0.22到-0.82。Y5V將逐漸被具有良好溫度特性的X7R和X5R取代。在官方網(wǎng)站的一些制造商中,無法找到相應(yīng)的選擇規(guī)格。此外,C0G、X7R、Z5U和Y5V介質(zhì)的介電常數(shù)也依次降低,因此在相同的尺寸和電壓電阻下,大容量可以依次降低。
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標(biāo)簽:電容|電容知識|MLCC|獨(dú)石電容
- [電子器件百科]X7R和Z5U材質(zhì)電容的特點(diǎn)2020年07月02日 10:39
- X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定的陶瓷電容器。需要注意的是,此時X7R電容器的電容變化是非線性的。在不同的電壓和頻率條件下,X7R電容的容量也是不同的。它隨時間變化,每10年約有0.01的ΔC,10年內(nèi)變化約0.05。X7R電容器主要用于低要求的工業(yè)應(yīng)用,其容量隨電壓的變化而在可接受的范圍內(nèi)變化。X5R和X7R主要是由于上限溫度不高,而且也被廣泛使用。1206封裝的電容值、X7R溫度特性、25V電壓電阻和0.22μF電容隨溫度變化。
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標(biāo)簽:電容|電容知識|MLCC|獨(dú)石電容
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