形成的間隙型裂紋1.接觸電阻-積分接觸是電容阻抗(Z=1/(2*pi*f*C)，這導(dǎo)致Res在開始時(shí)隨著頻率的增加而減少。貼片陶瓷電容的ESL類似于貼片固體鉭電容的ESL，也是一種ESL相對(duì)較小的SMD器件，但由于其內(nèi)部的引線結(jié)構(gòu)，陶瓷芯片的ESL比鉭電容的ESL要小得多，可以使用近似公式。雖然ESL與容量有關(guān)，但這一變化相對(duì)較小，基本上沒有變化。

形成的間隙型裂紋1.接觸電阻-積分接觸是電容阻抗(Z=1/(2*pi*f*C)，這導(dǎo)致Res在開始時(shí)隨著頻率的增加而減少。

2.皮膚效應(yīng)--由于內(nèi)電極和端電極的皮膚效應(yīng)，阻抗隨頻率的增加而增大，最終抵消了接觸電阻引起的ESR的下降。

3.介質(zhì)極化--隨著介質(zhì)中極化方向的增加，存儲(chǔ)了大量的能量，表明阻抗隨頻率的增加而增大。

貼片陶瓷電容的ESL類似于貼片固體鉭電容的ESL，也是一種ESL相對(duì)較小的SMD器件，但由于其內(nèi)部的引線結(jié)構(gòu)，陶瓷芯片的ESL比鉭電容的ESL要小得多，可以使用近似公式。

計(jì)算一下，比如1206封裝，然后是L≤12，W≤6。雖然ESL與容量有關(guān)，但這一變化相對(duì)較小，基本上沒有變化。

多層陶瓷電容器失效原因的內(nèi)部因素：

陶瓷介質(zhì)中產(chǎn)生空洞的主要因素是陶瓷粉末中的有機(jī)或無(wú)機(jī)污染，燒結(jié)過程控制不當(dāng)?shù)?，空洞的形成容易?dǎo)致漏電，進(jìn)而導(dǎo)致器件局部加熱，進(jìn)一步降低了陶瓷介質(zhì)的絕緣性能，導(dǎo)致泄漏增加，該過程循環(huán)惡化，導(dǎo)致多層陶瓷電容器開裂、爆炸甚至燃燒。

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