CV/g的增加與粉末粒度的減小和粉末純度的提高有關(guān)。將這些材料應(yīng)用于電容器設(shè)計(jì)是一個(gè)復(fù)雜的研究領(lǐng)域，需要大量的研發(fā)工作d投資。減小鉭電容器設(shè)計(jì)尺寸的另一個(gè)重要因素是高效封裝技術(shù)的發(fā)展。業(yè)內(nèi)常見的封裝技術(shù)是引線框架設(shè)計(jì)。這種結(jié)構(gòu)制造效率高，可以降低成本，提高產(chǎn)能。對(duì)于不受空間限制的應(yīng)用來說，這些設(shè)備仍然是一種可行的解決方案。VishayMAP結(jié)構(gòu)的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它降低了ESL。通過減少電流環(huán)路，可以顯著降低ESL。
        CV/g的增加與粉末粒度的減小和粉末純度的提高有關(guān)。將這些材料應(yīng)用于電容器設(shè)計(jì)是一個(gè)復(fù)雜的研究領(lǐng)域，需要大量的研發(fā)工作d投資。減小鉭電容器設(shè)計(jì)尺寸的另一個(gè)重要因素是高效封裝技術(shù)的發(fā)展。業(yè)內(nèi)常見的封裝技術(shù)是引線框架設(shè)計(jì)。這種結(jié)構(gòu)制造效率高，可以降低成本，提高產(chǎn)能。對(duì)于不受空間限制的應(yīng)用來說，這些設(shè)備仍然是一種可行的解決方案。

然而，在許多主要設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)是提高密度的電子系統(tǒng)中，減小元件尺寸是一個(gè)重要的優(yōu)點(diǎn)。在這方面，制造商在封裝技術(shù)方面取得了一些進(jìn)展。與標(biāo)準(zhǔn)引線框架結(jié)構(gòu)相比，無鉛框架設(shè)計(jì)可以提高體積效率。通過減小提供外部連接所需的機(jī)械結(jié)構(gòu)的尺寸，這些器件可以通過使用額外的可用空間來增加電容器元件的尺寸，從而增加電容值的總和/或電壓。
        在新一代包裝技術(shù)中，Vishay 獲得專利的多陣列封裝(MAP)該結(jié)構(gòu)通過在封裝端部使用金屬化層來提供外部連接，進(jìn)一步提高了體積效率。這種結(jié)構(gòu)完全消除了內(nèi)部陽極連接，從而在現(xiàn)有體積范圍內(nèi)增大了電容器元件的尺寸。為了進(jìn)一步說明體積效率的提高，電容元件的體積增加了60倍（百分比）以上。這種增加可用于優(yōu)化設(shè)備以增加電容/或電壓，降低DCL并提高可靠性。
        VishayMAP結(jié)構(gòu)的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它降低了ESL。MAP結(jié)構(gòu)可以通過消除回路封裝的機(jī)械引線框架來顯著減小現(xiàn)有電流回路的尺寸。通過減少電流環(huán)路，可以顯著降低ESL。與標(biāo)準(zhǔn)引線框架結(jié)構(gòu)相比，ESL的降低可高達(dá)30（百分比）ESL的降低與自諧振頻率的提高相對(duì)應(yīng)，可以擴(kuò)大電容器的工作頻率范圍。

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