從電路的角度來(lái)看，總有一個(gè)驅(qū)動(dòng)源和一個(gè)被驅(qū)動(dòng)負(fù)載。如果負(fù)載電容相對(duì)較大，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)該對(duì)電容充電、放電時(shí)，要完成信號(hào)跳變，當(dāng)上升沿陡峭時(shí)，電流相對(duì)較大，因此驅(qū)動(dòng)電流會(huì)吸收大量電源電流，因?yàn)殡娐分写嬖陔姼泻碗娮瑁ㄓ绕涫切酒_上的電感會(huì)反彈）這個(gè)電流相對(duì)于正常情況其實(shí)是一種噪聲，會(huì)影響前一級(jí)的正常工作。這就是耦合。

去耦電容充當(dāng)電池，滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互耦合干擾。

旁路電容實(shí)際上是去耦的，但旁路電容一般指高頻旁路，是針對(duì)高頻開(kāi)關(guān)噪聲提高一種低阻抗的防漏電方式。高頻旁路電容一般很小，根據(jù)諧振頻率一般為0.1u，0.01u等，并且去耦電容通常很大，為10u或更大，這取決于電路中的分布參數(shù)和驅(qū)動(dòng)電流的變化。

去耦和旁路都可以視為濾波。去耦電容相當(dāng)于電池，避免了電流突然變化引起的電壓下降，相當(dāng)于濾除紋波。特定電容可以基于電流、期望的紋波大小、動(dòng)作時(shí)間的大小要計(jì)算。去耦電容一般都很大，對(duì)于高頻噪聲基本無(wú)效。旁路電容是針對(duì)高頻的，即利用電容的頻率阻抗特性。電容通?？梢员灰暈镽LC級(jí)數(shù)模型。在特定頻率下，會(huì)發(fā)生諧振，電容的阻抗等于其ESR。如果看電容器的頻率阻抗曲線，會(huì)發(fā)現(xiàn)一般是V型曲線。具體曲線與電容器的電介質(zhì)有關(guān)，因此在選擇旁路電容器時(shí)應(yīng)考慮電容器的電介質(zhì)更安全的方法是組合幾個(gè)電容器。

去耦電容在集成電路電源和地之間有兩個(gè)作用：一方面是這個(gè)集成電路的儲(chǔ)能電容，另一方面是旁路這個(gè)器件的高頻噪聲。數(shù)字電路中的典型去耦電容為0.1μF。該電容的分布電感典型值為5 μ h。1μF去耦電容的分布電感為5μH，其并聯(lián)諧振頻率約為7MHz，也就是說(shuō)對(duì)10MHz以下的噪聲有很好的去耦效果，對(duì)40MHz以上的噪聲影響不大。1μF、10μF的電容和20MHz以上的并聯(lián)諧振頻率，去除高頻噪聲的效果更好。每10個(gè)集成電路應(yīng)增加一個(gè)充放電電容或一個(gè)儲(chǔ)能電容，可選值約為10 μ F。最好不要用電解電容器，它是用兩層薄膜卷起來(lái)的這種卷起的結(jié)構(gòu)在高頻下表現(xiàn)為電感。使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選擇不嚴(yán)格，可按C=1/f，即10MHz取0.1 fog, 100 MHz takes 0.01μF。

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