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: 光電耦合器

光電耦合器是以光為媒介傳輸電信號(hào)的一種電一光一電轉(zhuǎn)換器件。它由發(fā)光源和受光器兩部分組成。把發(fā)光源和受光器組裝在同一密閉的殼體內(nèi)，彼此間用透明絕緣體隔離。發(fā)光源的引腳為輸入端，受光器的引腳為輸出端，常見(jiàn)的發(fā)光源為發(fā)光二極管，受光器為光敏二極管、光敏三極管等等。
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: 納微氮化鎵芯片

氮化鎵（GaN）是一種新型的半導(dǎo)體材料，其電場(chǎng)強(qiáng)度比舊的低速硅（Si）高20倍，電子遷移率高出50%，氮化鎵功率芯片由此而來(lái)，體積更小，速度更快，更強(qiáng)大，更節(jié)約能量。
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[電子器件百科]三極管的作用2023年11月22日 10:59: 三極管是一種有三層半導(dǎo)體層的晶體管（P型、N型、P型或N型、P型、N型）用于放大和控制電流的半導(dǎo)體器件。它是一種受控電流放大器，是現(xiàn)代電子設(shè)備中最重要的元件之一。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]電容在電路中作用簡(jiǎn)單介紹2022年07月27日 16:15: 電子電路中常用的元件主要有電阻器、電容器、二極管、三極管、晶閘管、輕觸開(kāi)關(guān)、各種傳感器、保險(xiǎn)絲、變壓器等。今天我們主要談?wù)撾娐分蓄l率較高的電容器。相反，當(dāng)兩端的電壓降低時(shí)，電容器被放下。電容是電路中頻率較高的元件之一，通常用于調(diào)諧、濾波、耦合、旁路，能量轉(zhuǎn)換和延時(shí)。顯然，正弦波交流電不僅改變其方向，而且始終改變其大小。將電容器連接到正弦電源，對(duì)前三個(gè)電容器連續(xù)充電，并對(duì)第二和第四個(gè)電容器連續(xù)放電。; 閱讀（0）標(biāo)簽：電容|電容知識(shí)|電容特性|電解電容

[電子器件百科]NTC熱敏電阻的選型2021年03月18日 09:55: 列出了NTC熱敏電阻的許多參數(shù)，其中“25℃歐姆值”和“b值”是兩個(gè)非常重要的參數(shù)。通電時(shí)，25℃的歐姆值決定了NTC熱敏電阻的限流能力。根據(jù)b值，可以計(jì)算出NTC熱敏電阻達(dá)到終溫度時(shí)的電阻值。NTC熱敏電阻的功率損耗不容忽視。當(dāng)VAA逐漸達(dá)到自身電壓時(shí)，齊納二極管D1導(dǎo)通，三極管Q1斷開(kāi)，繼電器RY1閉合，相當(dāng)于短路限流NTC熱敏電阻Z1。利用繼電器等外圍電路進(jìn)一步降低NTC熱敏電阻作為限流電阻的功耗。; 閱讀（0）標(biāo)簽：電阻|電阻知識(shí)|電阻特性|壓敏電阻器|電阻參數(shù)

[電子器件百科]壓敏電阻的四種典型電路2020年08月06日 15:54: 壓敏電阻是一種具有非線(xiàn)性伏安特性的電阻器件，主要用于在電路承受過(guò)壓時(shí)進(jìn)行電壓鉗位，吸收多余的電流以保護(hù)敏感器件。保護(hù)半導(dǎo)體器件電路。壓敏電阻用于保護(hù)半導(dǎo)體器件電路。這種保護(hù)電路還可以用于晶閘管、大功率三極管等半導(dǎo)體器件電路中，這是一種對(duì)半導(dǎo)體器件的有效保護(hù)電路，一般采用與保護(hù)器件并聯(lián)的方式，以限制低于被保護(hù)器件的耐壓等級(jí)。 “壓敏電阻"是一種具有非線(xiàn)性伏安特性的電阻器件，主要用于在電路承受過(guò)壓時(shí)進(jìn)行電壓鉗位，吸收多余的電流以保護(hù)敏感器件。 1）線(xiàn)間應(yīng)用電路這一; 閱讀（0）標(biāo)簽：

[電子器件百科]摩爾定律與半導(dǎo)體器件的發(fā)展2020年07月22日 11:46: 摩爾定律的誕生是半導(dǎo)體技術(shù)史上的一個(gè)里程碑，它已成為信息技術(shù)發(fā)展的燈塔。計(jì)算機(jī)已成為大多數(shù)人不可缺少的工具。人們已經(jīng)看到，技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新大體上是按照它的節(jié)奏進(jìn)行的。大多數(shù)先驅(qū)者成為先驅(qū)者，而落后者則容易被淘汰。專(zhuān)家指出，摩爾定律不僅適用于芯片技術(shù)；在不久的將來(lái)，它可能會(huì)延伸到無(wú)線(xiàn)技術(shù)、光學(xué)技術(shù)、傳感器技術(shù)等領(lǐng)域，成為人們?cè)谖粗I(lǐng)域探索和創(chuàng)新的指導(dǎo)思想。毫無(wú)疑問(wèn)，摩爾定律對(duì)整個(gè)世界都有深遠(yuǎn)的影響。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]半導(dǎo)體激光器與半導(dǎo)體器件原理2020年07月22日 11:43: 在半導(dǎo)體激光器中，如果高效率半導(dǎo)體發(fā)光管的發(fā)光區(qū)域位于光學(xué)諧振器中，則可以獲得激光輸出。這種裝置稱(chēng)為半導(dǎo)體激光器或注入激光器。半導(dǎo)體激光器中早使用的PN結(jié)是均勻結(jié)，然后采用雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。雙異質(zhì)結(jié)激光的優(yōu)點(diǎn)是可以將注入的少數(shù)載流子限制在非常薄的有源區(qū)，由雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)組成的光學(xué)導(dǎo)管也可以將產(chǎn)生的光子限制在這一層的有源區(qū)。因此，雙異質(zhì)結(jié)激光器具有較低的閾值電流密度，可在室溫下連續(xù)工作。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]半導(dǎo)體器件與集成電路的發(fā)展2020年07月22日 11:41: 許多先進(jìn)工業(yè)國(guó)家都非常重視集成電路工業(yè)的發(fā)展，集成電路的集成度以每年翻倍的速度增長(zhǎng)。每片芯片上集成的256千字節(jié)的MOS隨機(jī)存取存儲(chǔ)器已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)，并正在開(kāi)發(fā)1兆位MOS隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。光電探測(cè)器的功能是將微弱光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，然后通過(guò)放大器放大電信號(hào)，從而達(dá)到檢測(cè)光信號(hào)的目的。此外，光電二極管和光電池也可用作光電檢測(cè)元件。半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)是PN結(jié)。當(dāng)電流向前時(shí)，注入的少數(shù)載流子通過(guò)復(fù)合發(fā)光。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]半導(dǎo)體器件的標(biāo)記后綴2020年07月22日 11:39: 除四個(gè)基本部分外，有時(shí)還增加后綴以區(qū)分特征或進(jìn)一步分類(lèi)。晶體二極管、晶體管和電阻電容都是在同一個(gè)硅芯片上制造的，稱(chēng)為集成電路。在一塊硅片上集成不到100個(gè)元件的芯片稱(chēng)為小規(guī)模集成電路，從1000個(gè)元件到1000個(gè)元件的稱(chēng)為中尺度集成電路，從1000個(gè)元件到100000個(gè)元件稱(chēng)為大規(guī)模集成電路，100000多個(gè)元件被稱(chēng)為超大規(guī)模集成電路。集成電路是目前發(fā)展計(jì)算機(jī)所必需的基本電子設(shè)備。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]半導(dǎo)體器件的標(biāo)記與含義42020年07月22日 11:34: 德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)和其他歐洲國(guó)家，以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭和其他東歐國(guó)家，大多采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件模型命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，每個(gè)部分的符號(hào)和含義如下：。三個(gè)數(shù)字--代表通用半導(dǎo)體器件的注冊(cè)序列號(hào)，一個(gè)字母加兩個(gè)數(shù)字--代表專(zhuān)用半導(dǎo)體設(shè)備的注冊(cè)序列號(hào)。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]半導(dǎo)體器件的標(biāo)記與含義32020年07月22日 11:30: 在美國(guó)，晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名是混亂的。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)的半導(dǎo)體分立器件的命名方法如下： a，B，C，D，D-不同等級(jí)的同一類(lèi)型的設(shè)備，例如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻低功率開(kāi)關(guān)晶體管，Jan-軍用級(jí)，2-晶體管，N-EIA注冊(cè)號(hào)，3251-EIA登記序號(hào)，A-2N3251A文件。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]半導(dǎo)體器件的標(biāo)記與含義22020年07月21日 09:25: 日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件由五到七部分組成。一般只使用前五部分，每一部分的符號(hào)意義如下：。S-表示在JEIA注冊(cè)的半導(dǎo)體分立器件。大于兩位數(shù)的整數(shù)-從“11”開(kāi)始表示在JEIA注冊(cè)的序列號(hào)；不同的公司可以對(duì)性能相同的設(shè)備使用相同的序列號(hào)；數(shù)字越大，產(chǎn)品越多。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]半導(dǎo)體器件的標(biāo)記與含義2020年07月21日 09:22: 半導(dǎo)體器件中有效電極的數(shù)目用數(shù)字表示。用漢語(yǔ)拼音字母表來(lái)表示半導(dǎo)體器件的材料和極性，當(dāng)二極管表示時(shí)，a-N鍺材料，B-P鍺材料，C-N型硅材料，D-P型硅材料，當(dāng)晶體管表示時(shí)，A-PNP鍺材料，B-NPN鍺材料，C-PNP型硅材料和D-NPN型硅材料。用漢語(yǔ)拼音字母來(lái)表示半導(dǎo)體器件的類(lèi)型。T-半導(dǎo)體晶閘管(≤gt3mhz)，Y體效應(yīng)器件，B-雪崩管，J級(jí)恢復(fù)晶體管，CS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，BT半導(dǎo)體專(zhuān)用器件，F(xiàn)H復(fù)合管，PIN-PIN管，JG-激光器件.。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]半導(dǎo)體器件的類(lèi)型與特性2020年07月21日 09:20: 半導(dǎo)體器件是指導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的電子器件。它可以利用半導(dǎo)體材料的特殊電學(xué)特性來(lái)完成特定的功能，從而產(chǎn)生、控制、接收、轉(zhuǎn)換信號(hào)、放大信號(hào)和轉(zhuǎn)換能量。由于橫向電場(chǎng)的影響，場(chǎng)效應(yīng)晶體管依靠一層薄的半導(dǎo)體來(lái)改變電阻，從而具有放大信號(hào)的功能。薄層半導(dǎo)體兩端的兩個(gè)電極稱(chēng)為源和漏極。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)原理2020年07月21日 09:10: 雙極晶體管由兩種PN結(jié)構(gòu)組成，稱(chēng)為發(fā)射結(jié)，另稱(chēng)為集電極結(jié)。在兩個(gè)結(jié)之間的一層薄薄的半導(dǎo)體材料被稱(chēng)為基極區(qū)。連接在發(fā)射極結(jié)一端和集電極結(jié)一端的兩個(gè)電極分別稱(chēng)為發(fā)射極和集電極。在實(shí)際應(yīng)用中，發(fā)射極結(jié)為正向偏置，集電極為反向偏置。這些少數(shù)載流子通過(guò)擴(kuò)散遷移到集電極結(jié)形成集電極電流。集電極電流與基極電流之比稱(chēng)為共發(fā)射極電流放大系數(shù)。雙極晶體管可分為NPN型和PNP型。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]半導(dǎo)體器件的應(yīng)用與結(jié)構(gòu)2020年07月21日 09:06: 在通信、雷達(dá)等軍事裝備中，微弱信號(hào)主要由高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收機(jī)接收。隨著微波通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)體低噪聲器件發(fā)展迅速，工作頻率不斷提高，噪聲系數(shù)不斷降低，微波半導(dǎo)體器件以其優(yōu)良的性能、體積小、重量輕、功耗低等優(yōu)點(diǎn)在防空、反導(dǎo)、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。因此，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。此外，PN結(jié)的偶極層還起著電容的作用，它隨外加電壓的變化而變化。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]半導(dǎo)體器件的材料、工藝與分類(lèi)2020年07月21日 09:02: 半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，用作整流、振蕩器、發(fā)光器件、放大器、光度計(jì)和其他設(shè)備。除了一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管，磁感晶體管，場(chǎng)效應(yīng)傳感器等，他們不僅可以將一些環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換成電，同時(shí)還具有一般晶體管的放大作用，可以獲得更大的輸出信號(hào)。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]場(chǎng)效應(yīng)管和三極管的使用區(qū)別2020年07月16日 09:02: 場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制電流的器件，由vGS來(lái)控制iD，其放大系數(shù)gm通常會(huì)比較小，因此相對(duì)較差放大能力較差，而三極管是通過(guò)電流來(lái)控制電流的器件，由Ib/iE來(lái)控制iC。場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通電阻更小，只有幾百毫歐姆，效率上比三極管更高效，在現(xiàn)用電器件上通常都使用場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)做開(kāi)關(guān)用途。; 閱讀（0）標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件|三極管|場(chǎng)效應(yīng)晶體管|半導(dǎo)體材料

[電子器件百科]貼片電阻在電路上的作用2019年12月03日 17:26: 電阻在不同電路中的作用有電阻交流信號(hào)電壓供給電路、電阻對(duì)三極管的分流應(yīng)用、阻尼電阻電路、電路中取樣電阻的應(yīng)用、下拉電阻、電阻電路中負(fù)反饋。; 閱讀（0）標(biāo)簽：