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    納微氮化鎵芯片

    產(chǎn)品概述:氮化鎵(GaN)是一種新型的半導(dǎo)體材料,其電場(chǎng)強(qiáng)度比舊的低速硅(Si)高20倍,電子遷移率高出50%,氮化鎵功率芯片由此而來(lái),體積更小,速度更快,更強(qiáng)大,更節(jié)約能量。

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    產(chǎn)品參數(shù) / Product Parameters

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    案例1

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    新晨陽(yáng)標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際認(rèn)證 / International certification

    AECQ200認(rèn)證 AECQ200認(rèn)證
    ISO9001:2015認(rèn)證 ISO9001:2015認(rèn)證
    IS014001認(rèn)證 IS014001認(rèn)證
    ROHS認(rèn)證 ROHS認(rèn)證
    IATF16949:2016認(rèn)證 IATF16949:2016認(rèn)證

    應(yīng)用范圍 / Range of application

    電源行業(yè)案例

    工控行業(yè)案例

    家電行業(yè)案例

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