高 效封裝技術(shù)的發(fā)展是降低鉭電容器設(shè)計尺寸的重要因素。在工業(yè)中常用的包裝技術(shù)是引線框架設(shè)計。這種結(jié)構(gòu)具有很高的制造效率，可以降低成本，提高生產(chǎn)能力。對于與空間無關(guān)的應(yīng)用，這些設(shè)備仍然是可行的解決方案。map結(jié)構(gòu)消 除了現(xiàn)有電流環(huán)的機(jī)械引線框架，大大減小了電流環(huán)的尺寸。通過小化電流回路，可以顯著降低ESL。ESL的減小對應(yīng)于自諧振頻率的增加，從而擴(kuò)大了電容器的工作頻率范圍。

高 效封裝技術(shù)的發(fā)展是降低鉭電容器設(shè)計尺寸的重要因素。在工業(yè)中常用的包裝技術(shù)是引線框架設(shè)計。這種結(jié)構(gòu)具有很高的制造效率，可以降低成本，提高生產(chǎn)能力。對于與空間無關(guān)的應(yīng)用，這些設(shè)備仍然是可行的解決方案。

然而，在許多以增加密度為主要設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)的電子系統(tǒng)中，減小元件尺寸的能力是一個重要的優(yōu)勢。在這方面，制造商在包裝技術(shù)方面取得了一些進(jìn)展。如圖5所示，與標(biāo)準(zhǔn)引線框架結(jié)構(gòu)相比，無引線設(shè)計可以提高體積效率。通過減小提供外部連接所需的機(jī)械結(jié)構(gòu)的尺寸，這些設(shè)備可以使用額外的可用空間來增 大電容元件的尺寸，從而增 大電容和/或電壓。

在新一代的封裝技術(shù)中，Vishay的專 利多陣列封裝（map）結(jié)構(gòu)通過在封裝末端使用金屬化層提供外部連接，進(jìn)一步提高了體積效率。該結(jié)構(gòu)通過完全消 除內(nèi)部陽極連接，使電容器元件在可用體積范圍內(nèi)的尺寸大化。為了進(jìn)一步說明容積效率的提高，見圖6。從圖中可以明顯看出，電容器元件的體積增加了60%以上。這種增加可用于優(yōu)化設(shè)備，以增加電容和/或電壓，降低DCL并提高可靠性。

Vishal的另一個優(yōu)點(diǎn)是減小了結(jié)構(gòu)的尺寸。map結(jié)構(gòu)消 除了現(xiàn)有電流環(huán)的機(jī)械引線框架，大大減小了電流環(huán)的尺寸。通過小化電流回路，可以顯著降低ESL。如圖7所示，與標(biāo)準(zhǔn)引線框架結(jié)構(gòu)相比，這種減少可以達(dá)到30%。ESL的減小對應(yīng)于自諧振頻率的增加，從而擴(kuò)大了電容器的工作頻率范圍。

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