涂層氧化物與BaTiO3 3形成共晶相，沿開口和晶界迅速擴散到陶瓷中，在晶界形成一薄層固溶體絕緣層。雖然陶瓷顆粒仍是半導(dǎo)體，但整個陶瓷體是絕緣體，表觀介電常數(shù)為2× 104 ~ 8× 104。由這種陶瓷制成的電容器稱為邊界層陶瓷電容器。高壓陶瓷電容器的陶瓷材料有兩種：鈦酸鋇和鈦酸鍶。鈦酸鍶的居里溫度為-250℃時，室溫下為立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。在高壓下，鈦酸鍶基陶瓷的介電系數(shù)變化不大，TGδ和電容的變化率較小。

在晶粒發(fā)育良好的鈦酸鋇半導(dǎo)體陶瓷表面上，涂覆適當(dāng)?shù)慕饘傺趸铮⊿uch as copper oxide or Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）并在適當(dāng)溫度氧化條件下進行熱處理。涂層氧化物與BaTiO3 3形成共晶相，沿開口和晶界迅速擴散到陶瓷中，在晶界形成一薄層固溶體絕緣層。薄的固溶體絕緣層具有高電阻率（高達1012-1013Ω·cm）雖然陶瓷顆粒仍是半導(dǎo)體，但整個陶瓷體是絕緣體，表觀介電常數(shù)為2× 104 ~ 8× 104。由這種陶瓷制成的電容器稱為邊界層陶瓷電容器（BL電容器）

高壓陶瓷電容器的陶瓷材料有兩種：鈦酸鋇和鈦酸鍶。鈦酸鋇基陶瓷具有高介電系數(shù)、良好的交流耐壓性能，但也存在電容變化率隨電介質(zhì)溫度升高而增加的事實、絕緣電阻降低等缺點。鈦酸鍶的居里溫度為-250℃時，室溫下為立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。它是順電的，沒有自發(fā)極化。在高壓下，鈦酸鍶基陶瓷的介電系數(shù)變化不大，TGδ和電容的變化率較小。

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