深圳市新晨陽電子有限公司
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因為電容器在高頻時的介電常數(shù)低于低頻時的介電常數(shù),所以電容器的電容相應減小。不同類型的電容器有不同的高頻使用。云母電容在250MHz以內(nèi);晶片的陶瓷介電電容為300MHz;管狀陶瓷介質(zhì)電容器為200MHz;圓盤陶瓷介質(zhì)為3000MHz;80MHz小型紙電容器;介電紙的介電電容只有8MHz。RES對頻率比較敏感,隨著頻率的增加而增加。
頻率特性:電容器的電參數(shù)隨電場頻率變化的特性。因為電容器在高頻時的介電常數(shù)低于低頻時的介電常數(shù),所以電容器的電容相應減小。另外,當電容器工作在高頻時,電容器的分布參數(shù)如電極的電阻引線與電極間的電阻電極的電感和引線的電感都會影響電容器的性能損耗,并隨頻率的增加而增加。所有這些都限制了電容器的使用頻率。不同類型的電容器有不同的高頻使用。云母電容在250MHz以內(nèi);晶片的陶瓷介電電容為300MHz;管狀陶瓷介質(zhì)電容器為200MHz;圓盤陶瓷介質(zhì)為3000MHz;80MHz小型紙電容器;介電紙的介電電容只有8MHz。
這里有幾個值得注意的參數(shù)
TCC:X7R的溫度和容量特性不同于X7R產(chǎn)品在室溫附近的溫度和容量特性。
ESR:等效串聯(lián)電阻
ESL:等效串聯(lián)電感
Q值:它是DF、ESR和ESL的綜合在高頻電路中引起了更多的關注。
在芯片的多層組件中,ESR(RES)主要由介電層電阻組成、內(nèi)電極層電阻、接觸表面電阻和端電極電阻,其中接觸表面電阻包括端電極和內(nèi)部電極之間的接觸、不同端電極的電鍍層之間的接觸等。RES對頻率比較敏感,隨著頻率的增加而增加。