第二種是高介電常數(shù)的X7R介質(zhì)。因?yàn)閄7R是一種強(qiáng)電介質(zhì)，所以它可以制造比NPO電介質(zhì)更大的電容器。隨著溫度、隨著電壓和時(shí)間的變化，其獨(dú)特的性能并沒有發(fā)生明顯的變化。屬于穩(wěn)定的電容器材料。適合高可靠性要求的隔離、耦合、旁路、濾波電路和中高頻電路。這種電容器具有較高的介電常數(shù)，通常用于產(chǎn)生較大的比電容、標(biāo)稱容量更高的大容量電容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性比X7R差，容量和損耗對(duì)溫度影響大、電壓和其他測試條件更敏感。

第二種是高介電常數(shù)的X7R介質(zhì)。因?yàn)閄7R是一種強(qiáng)電介質(zhì)，所以它可以制造比NPO電介質(zhì)更大的電容器。這種電容器的性能相對(duì)穩(wěn)定。隨著溫度、隨著電壓和時(shí)間的變化，其獨(dú)特的性能并沒有發(fā)生明顯的變化。屬于穩(wěn)定的電容器材料。適合高可靠性要求的隔離、耦合、旁路、濾波電路和中高頻電路。

第三種是半導(dǎo)體Y5V電介質(zhì)。這種電容器具有較高的介電常數(shù)，通常用于產(chǎn)生較大的比電容、標(biāo)稱容量更高的大容量電容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性比X7R差，容量和損耗對(duì)溫度影響大、電壓和其他測試條件更敏感。主要用于電子設(shè)備的振蕩、耦合、濾波和旁路電路。

良好的溫度和頻率特性。一般來說，電容隨著頻率的增加而減小。整體電容略有下降，容量相對(duì)穩(wěn)定。

由高介電常數(shù)的電容陶瓷制成（鈦酸鋇鈦氧化物）擠壓成管、以圓盤或圓片為介質(zhì)，用燒結(jié)浸滲法在陶瓷表面鍍銀作為電極。分為高頻和低頻。在高穩(wěn)定性振蕩電路中，具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器被用作環(huán)路電容器和襯墊電容器。低頻陶瓷電容僅限于低頻電路中的旁路或DC隔離，或者不需要穩(wěn)定性和損耗的場合。

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