第 二類是高介電常數(shù)的X7R介質(zhì)。由于X7R是強(qiáng)介電體，它可以制造比NPO介質(zhì)更大的電容器。隨著溫度、電壓和時(shí)間的變化，其獨(dú)特的性能并沒有顯著變化。它屬于穩(wěn)定的電容器材料。適用于對可靠性要求高的隔離、耦合、旁路、濾波電路和中高頻電路。這種電容器具有較高的介電常數(shù)，常用于生產(chǎn)比電容較大、標(biāo)稱容量較高的大容量電容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性比X7R差，容量和損耗對溫度、電壓等測試條件更為敏 感。

第 二類是高介電常數(shù)的X7R介質(zhì)。由于X7R是強(qiáng)介電體，它可以制造比NPO介質(zhì)更大的電容器。這種電容器的性能比較穩(wěn)定。隨著溫度、電壓和時(shí)間的變化，其獨(dú)特的性能并沒有顯著變化。它屬于穩(wěn)定的電容器材料。適用于對可靠性要求高的隔離、耦合、旁路、濾波電路和中高頻電路。

第三種是半導(dǎo)體型Y5V電介質(zhì)。這種電容器具有較高的介電常數(shù)，常用于生產(chǎn)比電容較大、標(biāo)稱容量較高的大容量電容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性比X7R差，容量和損耗對溫度、電壓等測試條件更為敏 感。主要用于電子設(shè)備的振蕩、耦合、濾波和旁路電路。

特點(diǎn)良好的溫度和頻率特性。一般來說，電容隨頻率的增加而減小。整體電容減小較小，容量相對穩(wěn)定。

陶瓷電容器是由高介電常數(shù)的電容陶瓷（鈦酸鋇鈦氧化物）擠壓成管、盤或盤作為介質(zhì)，用燒結(jié)浸滲法在陶瓷表面鍍銀作為電極。又分為高頻和低頻。在高穩(wěn)定振蕩電路中，采用正電容溫度系數(shù)小的電容器作為回路電容器和墊電容器。低頻陶瓷電容器僅 限于低頻電路中的旁路或直流隔離，或在穩(wěn)定性和損耗要求不高的地方。

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