鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓性能好等優(yōu)點(diǎn)，但也存在電容隨介質(zhì)溫度升高而變化率大、絕緣電阻降低等缺點(diǎn)。鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250℃. 室溫下為立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。它是一個(gè)順電體，沒有自發(fā)極化現(xiàn)象。在高壓下，鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數(shù)變化不大，Tg較低δ 多層陶瓷電容器是應(yīng)用最廣泛的芯片元件之一。它是片式單片電容器，由內(nèi)電極材料和陶瓷體多層交替并聯(lián)組成，整體燒制而成。

晶界層陶瓷電容器。在晶粒發(fā)育良好的鈦酸鋇半導(dǎo)體陶瓷表面包覆適量的金屬氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）。在適當(dāng)?shù)臏囟群脱趸瘲l件下熱處理后，涂層氧化物與鈦酸鋇形成低共晶相，沿開孔和晶界迅速擴(kuò)散到陶瓷中，在晶界形成一層薄的固溶體絕緣層。這種薄的固溶體絕緣層的電阻率非常高（高達(dá)1012-1013）Ω· 雖然陶瓷顆粒仍然是半導(dǎo)體，但整個(gè)陶瓷體的表觀介電常數(shù)高達(dá)2× 104至8× 由這種陶瓷制成的電容器稱為邊界層陶瓷電容器（BL電容器），高壓陶瓷電容器的陶瓷材料有兩種：鈦酸鋇基和鈦酸鍶基。鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓性能好等優(yōu)點(diǎn)，但也存在電容隨介質(zhì)溫度升高而變化率大、絕緣電阻降低等缺點(diǎn)。鈦酸鍶晶體的居里溫度為-250℃. 室溫下為立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。它是一個(gè)順電體，沒有自發(fā)極化現(xiàn)象。在高壓下，鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數(shù)變化不大，Tg較低δ 多層陶瓷電容器是應(yīng)用廣泛的芯片元件之一。它是片式單片電容器，由內(nèi)電極材料和陶瓷體多層交替并聯(lián)組成，整體燒制而成。它具有體積小、比電容高、精度高等特點(diǎn)。它可以安裝在印刷電路板（PCB）和混合集成電路（HIC）基板上，可以有 效地減小電子信息終端產(chǎn)品（特別是便攜式產(chǎn)品）的體積和重量，提高產(chǎn)品的可靠性。順應(yīng)了IT行業(yè)小型化、輕量化、高性能、多功能的發(fā)展方向。

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