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晶體二極管是由P型和N型半導(dǎo)體形成的pn結(jié)組成的單向?qū)щ姸嗽骷?。在其界面兩?cè)形成空間電荷層,并產(chǎn)生一個(gè)自建電場(chǎng),它所具有的電流方向性,就是一般被我們稱為整流的性能。
當(dāng)不存在外部施加的電壓時(shí),自建電場(chǎng)帶來(lái)的漂移電流與在pn結(jié)兩側(cè)的載流子濃度之差引起的擴(kuò)散電流相等,達(dá)到了電平衡狀態(tài)。當(dāng)外部施加直流偏壓時(shí),自建電場(chǎng)與外部電場(chǎng)的互相抑 制加大了載流子的擴(kuò)散電流,產(chǎn)生正向電流。而當(dāng)外部施加反向偏壓時(shí),自建電場(chǎng)與外部電場(chǎng)變得更強(qiáng)了,在一定電壓范圍內(nèi)形成了和反向偏壓值無(wú)相關(guān)的反向飽和電流。若此反向電壓高到一定程度的話,pn結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度則會(huì)達(dá)到一個(gè)臨界值,發(fā)生載流子倍增及大量電子-空穴對(duì)產(chǎn)生的現(xiàn)象,出現(xiàn)一個(gè)很大值的反向擊穿電流,這就是常提到的二極管擊穿現(xiàn)象。
依據(jù)這樣的反向擊穿原理可以分為雪崩擊穿、齊納擊穿兩種。當(dāng)反向電壓增加到一個(gè)較大的值時(shí),所施加的電場(chǎng)增加了電子的漂移速度,使之發(fā)生與共價(jià)鍵中價(jià)電子的碰撞,價(jià)電子從共價(jià)鍵中脫離出來(lái),產(chǎn)生的新電子-空穴對(duì)被電場(chǎng)加速,并和其他價(jià)電子碰撞,此時(shí)載流子雪崩增加,導(dǎo)致電流急劇增 大,這種擊穿現(xiàn)象我們稱之為雪崩擊穿。而在高摻雜濃度條件下,由于反向電壓較大而勢(shì)壘區(qū)寬度較小,勢(shì)壘區(qū)的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)被破壞導(dǎo)致價(jià)電子的脫離,產(chǎn)生了電子-空穴對(duì),導(dǎo)致電流急劇增 大,這樣的擊穿現(xiàn)象我們稱之為齊納擊穿。如果摻雜濃度低,勢(shì)壘區(qū)的寬度寬,并且不容易發(fā)生齊納擊穿。不管是哪種擊穿,如果電流不受限 制,可能會(huì)發(fā)生PN結(jié)的永 久性損壞。