晶體二極管是一種由P型和N型半導(dǎo)體形成的pn結(jié)構(gòu)成的單向?qū)щ姸嗽?。界面兩?cè)形成空間電荷層，產(chǎn)生自建電場(chǎng)。它現(xiàn)在的方向性就是我們通常所說(shuō)的修正。

無(wú)外加電壓時(shí)，自建電場(chǎng)引起的漂移電流等于pn結(jié)兩側(cè)載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流，達(dá)到電平衡。當(dāng)施加DC偏壓時(shí)，自建電場(chǎng)和外加電場(chǎng)的相互抑制增加了載流子擴(kuò)散電流，產(chǎn)生正向電流。當(dāng)外加反向偏壓時(shí)，自建電場(chǎng)和外加電場(chǎng)變強(qiáng)，在一定電壓范圍內(nèi)形成與反向偏壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。當(dāng)反向電壓達(dá)到一定水平時(shí)，pn結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)達(dá)到一個(gè)臨界值，載流子倍增和大量電子空穴對(duì)的產(chǎn)生會(huì)產(chǎn)生較大的反向電壓值。定向擊穿電流，也就是通常所說(shuō)的二極管擊穿現(xiàn)象。

根據(jù)這種反向擊穿原理，可以分為雪崩擊穿和齊納擊穿。當(dāng)反向電壓增大到較大值時(shí)，外加電場(chǎng)增加了電子的漂移速度，使其與共價(jià)鍵中的價(jià)電子發(fā)生碰撞。價(jià)電子脫離共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子?？昭▽?duì)被電場(chǎng)加速并與其他價(jià)電子碰撞。此時(shí)載流子的雪崩增加，導(dǎo)致電流急劇增加。這種擊穿現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。

在高摻雜濃度條件下，由于反向電壓大，勢(shì)壘區(qū)寬度小，破壞了勢(shì)壘區(qū)的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致價(jià)電子和電子分離—空穴對(duì)的產(chǎn)生導(dǎo)致電流急劇增加。增加，這種擊穿現(xiàn)象稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度低，勢(shì)壘區(qū)的寬度寬，并且不太可能發(fā)生齊納擊穿。無(wú)論何種擊穿類型，如果不限制電流，PN結(jié)都可能永久損壞。

本文標(biāo)簽：二極管 半導(dǎo)體二極管 二極管擊穿 上一篇：貼片鉭電容的正負(fù)極判別 下一篇：貼片電阻和插件電阻的對(duì)比