體積更小-結(jié)合使用高CV鉭粉和高 效包裝，這些設(shè)備為空間受限的應(yīng)用提供了高容量的緊湊尺寸。低ESR鉭電容器，降低ESR一直是鉭電容器設(shè)計(jì)的重要研究方向之一。鉭粉的選擇和陰極材料的涂覆工藝對電渣重熔有重要影響。這些合金具有熱膨脹系數(shù)低、成本低、易于制造等優(yōu)點(diǎn)。通過對銅引線框架材料加工工藝的改進(jìn)，使其可用于鉭電容器的設(shè)計(jì)。\對于緊湊型鉭電容器而言，鉭粉的演變和包裝的改進(jìn)是提高鉭電容器設(shè)計(jì)容積效率的兩個(gè)主要因素。

體積更小-結(jié)合使用高CV鉭粉和高 效包裝，這些設(shè)備為空間受限的應(yīng)用（如智能手機(jī)、平板電腦和其他手持消費(fèi)電子設(shè)備）提供了高容量的緊湊尺寸。

低ESR鉭電容器，降低ESR一直是鉭電容器設(shè)計(jì)的重要研究方向之一。鉭粉的選擇和陰極材料的涂覆工藝對電渣重熔有重要影響。然而，對于給定的額定值（容量、電壓、尺寸），這些因素主要是設(shè)計(jì)約束，基本上是在當(dāng)前先進(jìn)的設(shè)備上解決的。降低ESR的兩個(gè)主要因素是：陰極材料被導(dǎo)電聚合物取代，引線框架材料由Fe-Ni合金改為Cu（Cu）。

傳統(tǒng)鉭電容器的ESR主要來源于MnO2陰極材料。如圖1所示，二氧化錳的導(dǎo)電率約為0.1s/cm。相比之下，導(dǎo)電聚合物（如聚（3,4-亞乙基二氧噻吩）的電導(dǎo)率在100s/cm范圍內(nèi)。電導(dǎo)率的增加直接轉(zhuǎn)化為血沉的顯著降低。通過直接比較MnO2和聚合物在6.3v/47μf額定值下的ESR頻率曲線，可以看出聚合物設(shè)計(jì)可以在100kh z時(shí)將ESR降低一個(gè)數(shù)量級。

不同的材料導(dǎo)電率，引線框架材料是另一個(gè)可以通過使用更高導(dǎo)電率的材料來改 善電渣重熔的領(lǐng)域。引線框架提供從內(nèi)部電容器元件到封裝外部的電氣連接。

鎳鐵合金（如42合金）一直是引線框架材料的傳統(tǒng)選擇。這些合金具有熱膨脹系數(shù)低、成本低、易于制造等優(yōu)點(diǎn)。通過對銅引線框架材料加工工藝的改進(jìn)，使其可用于鉭電容器的設(shè)計(jì)。\對于緊湊型鉭電容器而言，鉭粉的演變和包裝的改進(jìn)是提高鉭電容器設(shè)計(jì)容積效率（體積密度）的兩個(gè)主要因素。

本文標(biāo)簽：電容 電容知識 電容特性 電容材料 鉭電容 上一篇：貼片鉭電容的作用及適用范圍 下一篇：磁珠與電感的對比