陶瓷片式電容器高頻特性好，但最大電容只能為0.1uF。片式陶瓷電容器也屬于陶瓷電容器的，是一個總稱。陶瓷片式電容器是以陶瓷材料為電介質，在陶瓷表面涂覆一層金屬膜，然后高溫燒結而成的電容器。在高穩(wěn)定振蕩電路中，采用正電容溫度系數(shù)小的電容器作為回路電容器和填充電容器。此類電容器不應用于脈沖電路中，因為它們容易被脈沖電壓刺穿。

整體式電容器相對穩(wěn)定，溫度漂移系數(shù)小，電容值可達1uF，使用壽命長，等效直流電阻小，價格略貴。

陶瓷片式電容器高頻特性好，但最大電容只能為0.1uF。片式陶瓷電容器也屬于陶瓷電容器的，是一個總稱。陶瓷片式電容器是以陶瓷材料為電介質，在陶瓷表面涂覆一層金屬膜，然后高溫燒結而成的電容器。它通常作為電路、旁路電容器和墊電容器用于高穩(wěn)定振蕩電路中。在高穩(wěn)定振蕩電路中，采用正電容溫度系數(shù)小的電容器作為回路電容器和填充電容器。低頻陶瓷電容器僅在工作頻率較低的電路中，或在穩(wěn)定性和損耗要求較低的場合（包括高頻）用作旁路或直流隔離。此類電容器不應用于脈沖電路中，因為它們容易被脈沖電壓刺穿。

陶瓷電容器由高介電常數(shù)電容陶瓷（鈦酸鋇和氧化鈦）制成，擠壓成圓管、圓盤或圓盤作為介質，并通過燒結滲透法在陶瓷上鍍銀作為電極。它又分為兩種類型：高頻瓷介質和低頻瓷介質。在高穩(wěn)定振蕩電路中，采用正電容溫度系數(shù)小的電容器作為回路電容器和填充電容器。低頻陶瓷電容器僅在工作頻率較低的電路中，或在穩(wěn)定性和損耗要求較低的場合（包括高頻）用作旁路或直流隔離。此類電容器不應用于脈沖電路中，因為它們容易被脈沖電壓刺穿。

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