薄膜電阻是通過(guò)真空沉積在氧化鋁陶瓷基板上形成的鉻鎳膜，通常只有0.1um厚，僅為厚膜電阻的千分之一，然后通過(guò)光刻工藝將該膜蝕刻成一定形狀。因此，可以很好地控制薄膜電容器的性能。薄膜電阻具有溫度敏感沉積層的最佳厚度，但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴(yán)重限制了可能的電阻值范圍。此外，改變最佳膜厚將嚴(yán)重影響TCR。TCR是一個(gè)不容忽視的小參數(shù)。1%普通電阻的TCR系數(shù)在幾千ppm/°C的范圍內(nèi)。

薄膜電阻是通過(guò)真空沉積在氧化鋁陶瓷基板上形成的鉻鎳膜，通常只有0.1um厚，僅為厚膜電阻的千分之一，然后通過(guò)光刻工藝將該膜蝕刻成一定形狀。光刻工藝非常精確，可以形成復(fù)雜形狀。因此，可以很好地控制薄膜電容器的性能

薄膜電阻具有溫度敏感沉積層的最佳厚度，但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴(yán)重限制了可能的電阻值范圍。因此，可以通過(guò)使用不同的沉積層厚度來(lái)實(shí)現(xiàn)不同的電阻范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫升的影響。膜電阻穩(wěn)定性的老化過(guò)程隨達(dá)到不同電阻值所需的膜厚度而變化，因此在整個(gè)電阻范圍內(nèi)是可變的。這種化學(xué)/機(jī)械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外，改變最佳膜厚將嚴(yán)重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，高電阻薄膜的電阻衰減率非常高

TCR是一個(gè)不容忽視的小參數(shù)。其單位為ppm/℃（每℃溫度變化引起的電阻值變化為百萬(wàn)分之幾）。1%普通電阻的TCR系數(shù)在幾千ppm/°C的范圍內(nèi)。總電阻值的變化與電阻的材料、實(shí)際功率和物理尺寸有關(guān)。厚膜電阻取決于玻璃基質(zhì)中顆粒之間的接觸以形成電阻。這些觸點(diǎn)構(gòu)成一個(gè)完整的電阻，但運(yùn)行中的熱應(yīng)變會(huì)中斷觸點(diǎn)。在大多數(shù)情況下，厚膜電阻器不會(huì)并聯(lián)開路，但電阻值會(huì)隨著時(shí)間和溫度而繼續(xù)增加。因此，與其他電阻技術(shù)相比，厚膜電阻的穩(wěn)定性較差（時(shí)間、溫度和功率）。

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