半導(dǎo)體材料是一種具有半導(dǎo)體特性的電子材料，用于制備半導(dǎo)體器件。重要的導(dǎo)電機理是由電子和空穴載流子實現(xiàn)的，因此存在N和P類型。通常具有一定的帶隙，其電性能容易受到外界條件的影響。通過添加特定的雜質(zhì)制備不同的導(dǎo)電材料。雜質(zhì)對材料的性能有很大的影響，大部分是晶體材料，半導(dǎo)體器件對材料的晶體完整性有很高的要求。

半導(dǎo)體材料是一種具有半導(dǎo)體特性的電子材料，用于制備半導(dǎo)體器件。重要的導(dǎo)電機理是由電子和空穴載流子實現(xiàn)的，因此存在N和P類型。半導(dǎo)體材料通常具有一定的帶隙，其電性能容易受到外界條件(如光、溫度等)的影響。通過添加特定的雜質(zhì)制備不同的導(dǎo)電材料。雜質(zhì)(特別是快速擴散雜質(zhì)和深能級雜質(zhì))對材料的性能有很大的影響。

因此，半導(dǎo)體材料應(yīng)具有較高的純度，這不僅要求用于生產(chǎn)的原料具有相當(dāng)高的純度，而且還需要超清潔的生產(chǎn)環(huán)境，以盡量減少生產(chǎn)過程中的雜質(zhì)污染。半導(dǎo)體材料大部分是晶體材料，半導(dǎo)體器件對材料的晶體完整性有很高的要求。此外，對材料各項電氣參數(shù)的均勻性也有嚴(yán)格的要求。

半導(dǎo)體材料是一種在室溫下導(dǎo)電介于導(dǎo)電材料和絕緣材料之間的功能材料，其電導(dǎo)率由電子和空穴載流子實現(xiàn)，室溫下的電阻一般在10-5~107歐姆之間，通常電阻隨溫度的升高而增 大，如果加入或輻照活 性雜質(zhì)，電阻可改變幾個數(shù)量級。

此外，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對外界條件的變化(如熱、光、電、磁等因素)非常敏 感，根據(jù)這些條件，可以制造各種敏 感元件以進行信息轉(zhuǎn)換。

半導(dǎo)體材料的特征參數(shù)是帶隙、電阻、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。帶隙由半導(dǎo)體的電子態(tài)和原子構(gòu)型決定，它反映了組成材料的原子中價電子從束縛態(tài)激發(fā)到自 由態(tài)所需的能 量。電阻和載流子遷移率反映了材料的電導(dǎo)率。

非平衡載流子壽命反映了半導(dǎo)體材料在外界作用下(如光或電場)內(nèi)載流子從非平衡態(tài)向平衡態(tài)轉(zhuǎn)變的弛豫特性。位錯是晶體中常見的缺 陷之一。位錯密度用來測量半導(dǎo)體單晶材料的晶格完整性程度，但對于非晶態(tài)半導(dǎo)體材料則不存在這種參數(shù)。

半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)不僅可以反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料的差異，而且可以反映不同半導(dǎo)體材料甚至同一材料在不同條件下的特性差異。

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